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  TO263-7封装的新1200V CoolSiC沟槽式MOSFET推进电动出行的开展

  【2023 年 7 月 3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌推出选用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和功率，能够在必定程度上完结双向充电功用，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC使用的体系本钱。比较第一代产品，1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%，具有同类最佳的开关功能。这种开关功能上的改善完成了高频运转，缩小了体系尺度并提高了功率密度。因为栅极-源极阈值电压（VGS(th)